Guangmai Technology je profesionalan u izradi 1W 3W Yellow 3535 SMD LED čipa 585nm 590nm 595nm.
Poluvodič žuta LED tehnologija postigla je napredak
Nakon 57 godina razvoja, vidljive svjetlosne LED diode postigle su punu boju, pružajući ljudima šarene vizualne gozbe i visokoučinkovite izvore rasvjete koji štede energiju. Međutim, dugo vremena, razvoj šarene LED svjetlosne učinkovitosti (učinkovitost svjetlosne snage) vrlo je neuravnotežen. Među njima, svjetlosna učinkovitost žute LED je mnogo niža od učinkovitosti drugih boja. Kao rezultat toga, žuto svjetlo s visokom učinkovitošću svjetlosti mora se dobiti pretvorbom valne duljine fosfora. Ovo "električno-optičko-optičko" rješenje za tehnologiju pretvorbe trenutno je glavna tehnologija LED rasvjete. Međutim, fosfori imaju inherentne nedostatke u procesu pretvorbe svjetlosti u svjetlo, kao što su veliki gubitak topline, veliko propadanje topline i svjetla i spori odziv, koji ograničavaju brzi razvoj LED dioda u smjeru visokokvalitetne rasvjete i brze komunikacije vidljive svjetlosti.
Stoga je rješavanje "žutog svjetlosnog jaza" postalo atraktivan cilj na ovom području. Kakva se podloga, materijal, struktura uređaja, struktura čipa i oprema mogu koristiti za proizvodnju visokoučinkovitih žutih LED dioda? Dugo nema odgovora u zemlji i inozemstvu.
U dva sustava žutog svjetlosnog materijala, kako se valna duljina AlGaInP-a mijenja od crvenog do žutog svjetla, razmak trake mijenja se iz izravnog u neizravno, a učinkovitost naglo pada. Ovo je fizičko usko grlo; dok je indium gallium nitride izravni razmak pojasa, koji je najveći Teškoća je uzgoj visokokvalitetnog, visokoumnog sadržaja indium galija dušikov kvantni materijal, što je tehničko usko grlo. Indijev sastav žutog LED kvantnog bunara je oko 30%, što očito premašuje indijev sastav plavog kvantnog bunara oko 15%. Postoje mnoge poteškoće u rastu dušika indium galija s visokim sadržajem indija: niska temperatura rasta uzrokuje pucanje amonijaka, manje slobodnih mjesta dušika, sporu migraciju atoma i grubu površinu, nejasna i barijerna sučelja različitih debljina, neravnomjeran sastav indija i tešku fazu segregacije indija Separacija, InGaN/GaN jaka polarizacija donosi manje preklapanja valnih funkcija nosača i tako dalje.
Nedavno je istraživačka skupina Jiang Fengyi sa Sveučilišta Nanchang objavila članak u Photonics Research: Efficient InGaN temeljen na Yellow Light-emiting Diodes, koji je pokazao napredak u dizajnu i tehnologiji proizvodnje LED materijala žutog svjetlosnog pojasa. Na temelju originalnih GaN/Si-based plavih LED materijala, strukture uređaja i strukture čipova, dizajnirali su nove strukture materijala, novu opremu za rast i nove procese. Tri glavne neusklađenosti (velika neusklađenost koeficijenata toplinske ekspanzije, nepodudaranje širine velikog razmaka pojasa i stalna neusklađenost velikih rešetki) pretvorili su u tri glavne prednosti.
Istraživačka skupina izumila je metodu i tehnologiju rasta materijala temeljenu na mreži. Na podlogi je izrađena redovita rešetka koja zamjenjuje nepravilne pukotine, što eliminira učinak nakupljanja naprezanja GaN/Si i rješava problem pukotina uzrokovanih materijalom. Problem nemogućnosti proizvodnje čipova koji emitiraju svjetlost također ima prednost uzgoja visokoučinkovitih materijala indium gallium nitride s visokim sadržajem indija zbog održavanja GaN-a pod vlačnim stresom.
Istraživači su izumili strukturu LED čipa na bazi silicija s visokom učinkovitošću ekstrakcije svjetla podešavanjem smjera struje, položaja emitiranja svjetlosti i putanje emitiranja svjetlosti, što ne samo da rješava problem apsorpcije svjetlosti podloge i svjetla za blokiranje elektroda, već ima i prednosti jednostrane emisije svjetlosti i visoke kvalitete snopa. Razvijeni novi integrirani prijelazni sloj ne samo da rješava problem visoke gustoće dislokacije, već i racionalno koristi dislokacije za formiranje strukture uređaja s velikim V jamama, poboljšava put transporta rupa i poboljšava učinkovitost LED-a.
Na temelju pretvaranja tri glavne neusklađenosti u tri glavne prednosti, prilagodili su reakcijski put transporta plina i mehanizam taloženja, izumili gustu koaksijalnu komoru za reakciju strukture rukava i razvili visoku indijsku komponentu koja više pogoduje ugradnji indija. Oprema za rast materijala indium gallium nitride povećava temperaturu rasta materijala, smanjuje učinak pamćenja i čini kvantni bunar i sučelje barijere strmim; pokreće trenutna gustoća 20A/cm2 i 3 A/cm2, 565nm žuto LED svjetlo na bazi silicija Učinkovitost je povećana na 24,3% odnosno 33,7%, što odgovara 149 lm/W odnosno 192 lm/W, čime se učinkovito ublažava žuti jaz i rješava problem nedostatka visokoučinkovitog žutog svjetla u LED diodama u svijetu.
Struktura materijala je silikonski supstrat indium gallium nitride višestruke kvantne strukture bušotine s trodimenzionalnim P-N spojem s velikim V jamama, a čip je jednostrana struktura tankog filma koja emitira svjetlost.
Žuta i jantarno/narančasta boja smd LED svjetlosnog efekta
Električne specifikacije:
Veličina paketa:
Aplikacija
O Guangmaiju
Shenzhen Guangmai Technology Co, Ltd je tvrtka za elektroničku tehnologiju koja integrira istraživanje i razvoj, proizvodnju, prodaju i usluge. Od svog osnutka, tvrtka se pridržava poslovne filozofije "integriteta, fokusa i inovacija", specijalizirane za UV LED, duboku ultraljubičastu LED diodu, 265-405nm: 2835 ljubičica, 3535 ljubičica 1414 ljubičasti UV modul, 6868 ljubičasta, 7070 ljubičasta, 5050 ljubičasta, 3838 ljubičasta svjetlost 1212 ljubičasto svjetlo i COB integrirano LED ljubičasto svjetlo, oponašajući lumen led ljubičasto svjetlo velike snage, istraživanje i razvoj te proizvodnja posebnih UV izvora svjetlosti. Nakon neumitnih napora, UV LED ultraljubičasto svjetlosno stvrdnjavanje, pulsirajuće ultraljubičasto svjetlosno stvrdnjavanje, UV LED tintni pisač, biomedicina, policijski izvor svjetla za otkrivanje i analizu, svjetiljka za rast biljaka, znanstveno istraživanje višeslojnog izvora svjetlosti, ultraljubičasta sterilizacija, LED fotonska medicinska obrada, liječenje ultraljubičastom vodom, Prerada povrća, obrada zraka itd. Naš je cilj: preživjeti kvalitetno, tražiti suradnju s integritetom.
Podatkovna tablica:
Za više detalja slobodno se obratite izravno Guangmai Techu.
Podatkovnu tablicu 1W 3W Yellow 3535 SMD LED chip 585nm 590nm 595nm možete preuzeti s glave ove stranice.
Popularni tagovi: 1w 3w žuti 3535 smd LED čip 585nm 590nm 595nm, Kina, proizvođači, dobavljači, tvornica, cijena, jeftino, citat, podatkovna tablica, specifikacije, specifikacije
